Prognostic Value of Mandard and Dworak Tumor Regression Grading in Rectal Cancer: Study of a Single Tertiary Center
Goal. To evaluate the prognostic value of Mandard and Dworak grading systems regarding neoadjuvant chemoradiotherapy (CRT) response on rectal cancer. Materials and Methods. We queried our center’s database for patients with colo rectal cancer with locally advanced rectal cancer (LARC) who received neoadjuvant CRT followed by total mesorectum excision (TME) between 2003 and 2011. After excluding 18 patients from the initial query the remaining 139 were reassessed for disease recurrence and survival; the specimens’ slides were reviewed and classified according to two tumor regression grading (TRG) systems: Mandard and Dworak. Based on these TRG scores, two patient groups were created: patients with good response versus patients with bad response (Mandard TRG1+2 versus Mandard TRG3+4+5 and Dworak TRG4+3 versus Dworak TRG2+1+0). Overall survival (OS), disease-free survival (DFS), and disease recurrence were then evaluated. Results. Mean age was 64.2 years and median follow up was 56 months. No significant survival difference was found when comparing patients with Dworak TRG 4+3 versus Dworak TRG2+1+0 (
). Mandard TRG1+2 presented with significantly better OS and DFS than Mandard TRG3+4+5 (OS
). Conclusions. Mandard system provides higher accuracy over Dworak system in predicting rectal cancer prognosis when neoadjuvant CRT is applied for tumor regression.
1. Introduction
Improved outcome in the treatment of locally advanced rectal cancer (LARC) is related to the introduction of total mesorectal excision (TME) and neoadjuvant treatment [1–3].
In locally advanced rectal cancer (LARC) the use of neoadjuvant chemoradiotherapy (CRT) reduces locoregional recurrence and can lead to better prognosis depending on the tumor regression grade. Rectal cancer prognosis appears to be related to neoadjuvant CRT response [4–6].
After curative surgery with TME, tumor extension through the rectal wall (pT), spreading to the regional lymph nodes (pN) and the circumferential resection margin (CRM) constitute the main criteria to estimate prognosis in rectal carcinoma patients [7]. In LARC, chemoradiotherapy applied before surgery may change the pathologic stage and CRM of the resected specimen. Several studies have demonstrated that clinical outcome depends not only on the initial stage of the tumor, but also on the CRT-induced tumor response which varies among individual patients [8].
Tumor response to neoadjuvant CRT can induce cytoreduction and downstaging of the lesion and can also cause histological changes which can be assessed by tumor regression systems, which in turn offer another method for evaluating tumor regression.
Tumor regression can range from zero evidence of treatment efficacy to a complete response (ypCR) with no viable tumor cells identified. It is well established that patients with pCR after chemoradiation have better long-term outcomes than those without pCR [5, 9, 10]. Complete response, however, accounts for less than one third of the patients, and the majority of patients present either partial or no response at all. The prognostic value of partial or near complete response is an important topic and research is underway [6, 11].
In order to quantify neoadjuvant CRT response, several grades can be used, being particularly important in situations where the pathological response is not complete [12–18]. There is no consensual regression grading system for pathologists who are presented with resected tumor specimens following neoadjuvant chemoradiotherapy. Most have 3 to 5 levels, allowing group creation according to the responses. This lack of consensus impeaches clinical management and leaves clinicians without a uniform scoring regression system that could guide their decisions.
The value of tumor regression grading systems as an independent prognostic factor for disease-free survival has been demonstrated in several studies [6, 19–21]. The present study aims to evaluate the accuracy of Mandard and Dworak systems in rectal cancer neoadjuvant chemoradiotherapy (CRT) as a prognostic factor, mainly for patients who achieved a near complete response.
2. Material and Methods
A single-institution database was queried for consecutive patients with LARC, biopsy-proven rectal adenocarcinoma, who underwent neoadjuvant CRT followed by elective radical surgery with TME with curative intent between January 1, 2003, and December 31, 2011.
Admission criteria were patients with rectal cancers located less than 12 cm distance anal verge and clinical stage T2N+M0 or cT3/4 N0/+M0.
Exclusion criteria were patients with other diagnosed neoplasia, short course RT, yp stage IV, R1/R2 surgery, and death within 60-day postoperative time.
All patients receiving neoadjuvant CRT who were operated within 8 weeks after radiotherapy conclusion were included in this analysis. Patients receiving short-course radiation were excluded since no downstaging occurs when immediate surgery is carried out.
Staging included rigid proctoscopy, total colonoscopy, chest, abdominal and pelvic CT scan, endorectal ultrasound (ERUS), pelvic magnetic resonance image (MRI) (since 2008), and carcinoembryonic antigen serum levels.
The neoadjuvant CRT protocol included a total irradiation of 50.4 Gy in 28 fractions and 5-fluorouracil by infusion pump.
Radical surgery was consisted mainly for sphincter saving rectal resection (SSRE) or abdominoperineal resection (APR) with TME. Regarding operative procedure selection, we considered the distance of the lesion to the anus, the comorbidities of the patient, and the condition of the anal sphincter.
Operated patients were subjected to adjuvant chemotherapy protocol for 6 months performed preferably with 5-fluorouracil (5-FU) or a combination 5-FU and oxaliplatinum.
Standard pathologic tumor staging of the resected specimen was performed in accordance with the guidelines of the American Joint Committee on Cancer (AJCC). Circumferential resection margin (CRM) was scored as positive when cancers cells were within 1 mm of the margin. Evidence of ypCR was defined as an absence of viable adenocarcinoma in the surgical specimen or the presence of lakes of mucus without tumor cells. The histology of all surgical specimens was reviewed and confirmed by an independent element and was classified based on two tumor regression grading systems: Mandard and Dworak (Figures 1 and 2).
| Mandard system. |
| Dworak system. |
2.1. Patients Were Divided in 4 Groups according to TRG
Mandard system, good responders were defined as Mandard TRG3+TRG4+TRG5; bad responders were defined as Mandard TRG1+TRG2.
Dworak system, good responders were defined as Dworak TRG3+TRG4; bad responders were defined as Dworak TRG2+TRG1+TRG0.
The groups in both systems (good responders versus bad responders) were used to evaluate outcome results.
Disease recurrence was evaluated according to location: locoregional (LR), systemic (DR), or mixed.
None of the patients were lost for followup.
All surviving patients were observed and their current status was confirmed.
2.2. Statistical Analysis
Mandard and Dworak TRG groups (good/bad) were compared in relation to age, sex, tumor distance from anal verge, clinical stage, surgical procedure performed, and pathological stage (yp stage) using the Student’s t-student and the
Survival time was defined as the interval between the beginning of neoadjuvant therapy and the date of the last observation.
Oncologic outcomes were evaluated for overall survival (OS), disease-free survival (DFS), overall recurrence (OR), local recurrence (LR), and distant recurrence (DR).
Survival curves were performed using the Kaplan-Meier method and compared using the log-rank test. The influence of the covariates, Mandard TRG, Dworak TRG, ypN stage, ypT stage, and tumor distance from anal verge on the cumulative probability rates, was examined using the proportional hazard model (forward stepwise method) described by Cox.
values are two-sided and
was considered significant. The statistical analysis was done using IBM SPSS Statistics version 20.
3. Results
The database query returned 157 patients. We excluded 18 patients: 11 patients with positive radial margin (R1 surgery), 3 patients yp stage IV, and four deaths within 60 days of postoperative period. The remaining 139 patients were evaluated.
The analysis of the clinical characteristics and surgery performed on the 139 patients can be seen in Table 1.
3.1. Surgery
Sphincter saving rectal resection with anastomosis (with or without protective ileostomy) was performed on 88 patients (63.3%). Abdominal-perineal resection was performed on 46 patients, and five patients were subjected to proctectomy with definitive stoma. The perioperative morbidity of the series was of 25% with 11 abdominal or pelvic abscesses, 2 anastomose leaks, 5 reoperations, and 2 readmissions.
3.2. Pathology
Stage distribution is shown in Table 2.
The average number of dissected lymph nodes in the surgical specimen was 8.2 (range 0–22). Circumferential resection margin >1 mm was confirmed in all 139 patients.
Response to neoadjuvant therapy is characterized in Table 1 with clinical parameters.
TRG Classification. The use of Mandard and Dworak systems allowed us to define two groups as previously mentioned: good responders (Mandard TRG1+2 or Dworak 3+4) and bad responders (Mandard TRG3+4+5 or Dworak TRG2+1+0).
Using Mandard system a good response to neoadjuvant CRT was attributed to 70 patients (50.4%) and a bad response was attributed to 69 patients (49.6%).
Using Dworak system a good response to neoadjuvant CRT was attributed to 54 patients (38.8%) and a bad response was attributed to 85 patients (61.2%).
The number of patients with a complete response (ypCR) is the same according to both systems (Mandard TRG1/Dworak TRG4 in 25–17.9%).
Table 2 shows T and N pathological staging according to Mandard and Dworak groups. Mandard TRG seems to better relate with ypN stage while Dworak TRG relates with ypT stage.
3.3. Disease Recurrence
3.3.1. Pelvic Recurrence
Four patients (2.7%) had isolated pelvic recurrence. Among patients on the good response groups (Mandard and Dworak), pelvic recurrence appeared, 45 months after surgery, in 1 out of 70 (1.4%) and in 1 out of 54 (1.8%), respectively, patients with ypCR (Table 3).
3.3.2. Distant Recurrence
Distant recurrence without pelvic recurrence appeared in 20 of the 139 patients (14.4%). If we consider only the patients with a good response, distant recurrence appeared in 6 out of 70 (8.6%) patients with “Mandard’s good response” and in 6 out of 54 (11.1%) patients with “Dworak’s good response.” For patients who had a complete pathologic response distant recurrence emerged in one patient only (brain metastasis 25 months after surgery).
3.3.3. Mixed Recurrence
Two patients (1.4%) had pelvic and distant disease. All were classified as bad responders according to Mandard and Dworak systems.
3.4. Survival
The mean follow-up was 56 months (range 6–125). Five years overall survival (OS) and five years disease free survival were 72.3% and 72.1%, respectively (Table 4).
The survival of patients who showed a good response on Mandard TGR was significantly higher than the ones with bad responses, according to 5-year overall survival (OS) and 5-year disease free survival (
and 0.007 resp.) as shown in Table 4 and Figures 3 and 4.
| Five-year overall survival, comparison of the two groups Mandard. |
| Five-year disease-free survival, comparison of the two groups Mandard. |
Using Dworak system the results point in the same direction but without being statistically significant (according to the log-rank test, but not the Breslow test—Table 4 and Figures 5 and 6).
| Five-year overall survival, comparison of the two groups Dworak. |
| Five-year disease-free survival, comparison of the two groups Dworak. |
The two groups (good responders versus bad responders) on the two TGR (Mandard and Dworak) are statistically comparable with respect to age, sex, clinical stage, and surgical procedures performed with the exception of tumor distance from anal verge (
/ ), ypN stage (ypN0/ypN+) ( / ), and ypT stage (ypT0-2/ypT3-4) ( / ) (Tables 1 and 2).
Cox regression model indicates that Mandard TRG is the only independent factor influencing overall survival (OS) and DFS after factoring in the following variables: Mandard TRG, Dworak TRG, ypN stage (ypN0/ypN+), ypT stage, and distance from anal verge (Table 5).
4. Discussion
Neoadjuvant CRT followed by TEM surgery is the widely accepted treatment for LARC [22–24]. Histologic changes after neoadjuvant CRT for rectal carcinoma vary considerably, with some entities showing complete absence of tumor cells, whereas others exhibit a mass of tumor cells with little or no regressive changes. Besides complete response, partial response can also be quantified. A method to assess treatment response is accomplished by grading histologic changes in the resected specimen that are caused by neoadjuvant CRT. Tumor regression grading has been proposed in a variety of classifications but their accuracy to correlate CRT induced histological changes with disease prognosis is not always present. Although there are no consensual pathological standards, Mandard and Dworak systems [12, 13] are broadly being used. For this reason we applied them in our studies. The former one essentially counts the number of residual tumor cells while the later one focuses on the quantification of fibrosis (Figures 1 and 2).
Both have 5 levels and are consistent in identifying a complete response (ypCR) but differences arise when the response is partial. Although early data suggest that the greatest degree of tumour regression is associated with the best clinical outcome, the clinical implication of moderate degrees of tumour regression is currently unclear.
In our studies the outcome for patients with a near complete response (Mandard TRG2 or Dworak TRG3) is almost similar to the outcome for patients with complete response (Mandard TRG1 or Dworak TRG4). This result suggests that it may be possible to combine tumors into a group of good responders (Mandard TRG1+2/Dworak TRG4+3) and a group of bad responders (Mandard TRG3+4+5/Dworak TRG2+1+0), since those who show significant histopathological regression and complete pathologic regression have a similarly better prognosis than the remaining poorly responding patients. This kind of division was also used by other authors [15, 19, 20, 25]. Our experience tells us that in defining a near complete response, Mandard TRG2 identifies a larger number of patients with better prognosis than Dworak TRG3. This finding may explain the better correlation between Mandard grading and disease prognosis, rather than with Dworak grading. Good responders have higher 5-year overall survival and 5-year disease free survival than bad responders, albeit these results are statistically significant only when Mandard system is considered. In our analysis a good response, defined as Mandard 1 and 2 classifications, was present in 70 of the 139 patients receiving CRT (50.4%).
However, the TRG cannot be considered as the only prognostic factor that affects rectal cancer patient’s survival rate after chemoradiotherapy; sphincter saving surgery rate, CMR status, local recurrence rate, perineural invasion, and ypT and ypN stages are also thought to be crucial prognostic factors [7, 15, 26, 27]. In our series we analyzed those variables in the TRG groups created. The presence of a good response in either one of the two systems did not have an impact in terms of sphincter preservation surgery. When response was good in both TRG an estimated 78.5% reduction of positive lymph nodes was achieved when clinical values were compared (
) against pathological ones (
). These aspects contributed to lowering locoregional and distant recurrence in good responders. It is possible that the impact of a good response in obtaining radial margins greater than 1 mm and the reduction of the number of positive lymph nodes and the pathological T stage have contributed in an effective way to increase the survival of this subgroup.
Mandard system, which shows the CRT effect, seems to be an additional prognostic factor that, along with TNM stage, predicts the survival and recurrence rates. A patient with a good response by Mandard is estimated to face a hazard ratio that is only 46% of the hazard faced by a patient who had a bad response (Table 5).
Some biases and limitations of our study can be pointed out: the series is small; the histology of all surgical specimens was reviewed retrospectively; the study protocol did not provide extra paraffin blocks from surgical specimen to confirm pCR diagnoses. The number of dissected lymph nodes, average 8.2 (0–22), can also be seen as a limitation. In order to better take advantage of our data, we intend to proceed with continued research in this area and to increase the number of patients enrolled in this study, maintaining as we have done so far: a single-institution database, a single and well-defined operative procedure, and the revision of all surgical specimens by an independent and experimented pathologist.
Finally, standardization of the Mandard TRG system and more research on the factors that affect the Mandard TRG need to be done. Clearly, the accuracy, reliability, and validity of the TRG system needs to be further investigated.
The clinical validation of a universally accepted regression scoring system is a key research priority.
5. Conclusion
The presence of tumor regression can be considered a prognostic factor. In terms of regression grades Mandard was the one that best correlated with the presence of therapeutic response and prognosis. The presence of a good response in terms of Mandard tumor regression grade was associated with a lower incidence of locoregional recurrence and improved survival.
Conflict of Interests
The authors of the paper do not have any financial relation or any financial interest with the subject matter or materials discussed in this paper.
References
M. den Dulk, P. Krijnen, C. A. M. Marijnen et al., “Improved overall survival for patients with rectal cancer since 1990: the effects of TME surgery and pre-operative radiotherapy,” European Journal of Cancer, vol. 44, no. 12, pp. 1710–1716, 2008.
J. K. MacFarlane, R. D. H. Ryall, and R. J. Heald, “Mesorectal excision for rectal cancer,” The Lancet, vol. 341, no. 8843, pp. 457–460, 1993.
W. van Gijn, C. A. Marijnen, I. D. Nagtegaal et al., “Preoperative radiotherapy combined with total mesorectal excision for resectable rectal cancer: 12-year follow-up of the multicentre, randomised controlled TME trial,” The Lancet Oncology, vol. 12, no. 6, pp. 575–582, 2011.
J. M. D. Wheeler, E. Dodds, B. F. Warren et al., “Preoperative chemoradiotherapy and total mesorectal excision surgery for locally advanced rectal cancer: correlation with rectal cancer regression grade,” Diseases of the Colon and Rectum, vol. 47, no. 12, pp. 2025–2031, 2004.
M. Maas, P. J. Nelemans, V. Valentini et al., “Long-term outcome in patients with a pathological complete response after chemoradiation for rectal cancer: a pooled analysis of individual patient data,” The Lancet Oncology, vol. 11, no. 9, pp. 835–844, 2010.
Y. C. Lee, C. C. Hsieh, and J. P. Chuang, “Prognostic significance of partial tumor regression after preoperative chemoradiotherapy for rectal cancer: a meta-analysis,” Diseases of the Colon and Rectum, vol. 56, no. 9, pp. 1093–1101, 2013.
E. J. Bown, G. M. Lloyd, K. M. Boyle, and A. S. Miller, “Rectal cancer: prognostic indicators of long-term outcome in patients considered for surgery,” International Journal of Colorectal Disease, vol. 29, no. 2, pp. 147–155, 2014.
H.-M. Quah, J. F. Chou, M. Gonen et al., “Pathologic stage is most prognostic of disease-free survival in locally advanced rectal cancer patients after preoperative chemoradiation,” Cancer, vol. 113, no. 1, pp. 57–64, 2008.
C. Capirci, V. Valentini, L. Cionini et al., “Prognostic value of pathologic complete response after neoadjuvant therapy in locally advanced rectal cancer: long-term analysis of 566 ypCR patients,” International Journal of Radiation Oncology, Biology, Physics, vol. 72, no. 1, pp. 99–107, 2008.
S. T. Martin, H. M. Heneghan, and D. C. Winter, “Systematic review and meta-analysis of outcomes following pathological complete response to neoadjuvant chemoradiotherapy for rectal cancer,” British Journal of Surgery, vol. 99, no. 7, pp. 918–928, 2012.
V. Valentini, “The right study design is needed to find out which patients benefit from preoperative chemoradiotherapy for intermediate staged rectal cancer,” Onkologie, vol. 34, no. 1-2, pp. 6–8, 2011.
A. M. Mandard, F. Dalibard, J. C. Mandard et al., “Pathologic assessment of tumor regression after preoperative chemoradiotherapy of esophageal carcinoma. Clinicopathologic correlations,” Cancer, vol. 73, no. 11, pp. 2680–2686, 1994.
O. Dworak, L. Keilholz, and A. Hoffmann, “Pathological features of rectal cancer after preoperative radiochemotherapy,” International Journal of Colorectal Disease, vol. 12, no. 1, pp. 19–23, 1997.
R. Glynne-Jones and N. Anyamene, “Just how useful an endpoint is complete pathological response after neoadjuvant chemoradiation in rectal cancer?” International Journal of Radiation Oncology, Biology, Physics, vol. 66, no. 2, pp. 319–320, 2006.
C. Rödel, P. Martus, T. Papadoupolos et al., “Prognostic significance of tumor regression after preoperative chemoradiotherapy for rectal cancer,” Journal of Clinical Oncology, vol. 23, no. 34, pp. 8688–8696, 2005.
J. M. D. Wheeler, B. F. Warren, N. J. M. Mortensen et al., “Quantification of histologic regression of rectal cancer after irradiation: a proposal for a modified staging system,” Diseases of the Colon and Rectum, vol. 45, no. 8, pp. 1051–1056, 2002.
K. Junker, “Therapy-induced morphological changes in lung cancer,” Pathologe, vol. 25, no. 6, pp. 475–480, 2004.
G. T. Williams, P. Quirke, and N. A. Shepherd, Dataset for Colorectal Cancer, The Royal College of Pathologists, London, UK, 2nd edition, 2007, http://www.rcpath.org/Resources/RCPath/Migrated%2520Resources/Documents/G/G049-ColorectalDataset-Sep07.pdf.
A. S. Dhadda, P. Dickinson, A. M. Zaitoun, N. Gandhi, and E. M. Bessell, “Prognostic importance of Mandard tumour regression grade following pre-operative chemo/radiotherapy for locally advanced rectal cancer,” European Journal of Cancer, vol. 47, no. 8, pp. 1138–1145, 2011.
J. Suárez, R. Vera, E. Balén et al., “Pathologic response assessed by Mandard grade is a better prognostic factor than down staging for disease-free survival after preoperative radiochemotherapy for advanced rectal cancer,” Colorectal Disease, vol. 10, no. 6, pp. 563–568, 2008.
F. M. Vecchio, V. Valentini, B. D. Minsky et al., “The relationship of pathologic tumor regression grade (TRG) and outcomes after preoperative therapy in rectal cancer,” International Journal of Radiation Oncology, Biology, Physics, vol. 62, no. 3, pp. 752–760, 2005.
J.-F. Bosset, L. Collette, G. Calais et al., “Chemotherapy with preoperative radiotherapy in rectal cancer,” The New England Journal of Medicine, vol. 355, no. 11, pp. 1114–1123, 2006.
J.-P. Gérard, T. Conroy, F. Bonnetain et al., “Preoperative radiotherapy with or without concurrent fluorouracil and leucovorin in T3-4 rectal cancers: results of FFCD 9203,” Journal of Clinical Oncology, vol. 24, no. 28, pp. 4620–4625, 2006.
R. Sauer, T. Liersch, S. Merkel et al., “Preoperative versus postoperative chemoradiotherapy for locally advanced rectal cancer: results of the German CAO/ARO/AIO-94 randomized phase III trial after a median follow-up of 11 years,” Journal of Clinical Oncology, vol. 30, no. 16, pp. 1926–1933, 2012.
J. Arredondo, J. Baixauli, C. Beorlegui et al., “Prognosis factors for recurrence in patients with locally advanced rectal cancer preoperatively treated with chemoradiotherapy and adjuvant chemotherapy,” Diseases of the Colon and Rectum, vol. 56, no. 4, pp. 416–421, 2013.
A. K. P. Chan, A. Wong, D. Jenken, J. Heine, D. Buie, and D. Johnson, “Posttreatment TNM staging is a prognostic indicator of survival and recurrence in tethered or fixed rectal carcinoma after preoperative chemotherapy and radiotherapy,” International Journal of Radiation Oncology, Biology, Physics, vol. 61, no. 3, pp. 665–677, 2005.
A. Rullier, S. Gourgou-Bourgade, M. Jarlier et al., “Predictive factors of positive circumferential resection margin after radiochemotherapy for rectal cancer: the French randomised trial ACCORD12/0405 PRODIGE 2,” European Journal of Cancer, vol. 49, no. 1, pp. 82–89, 2013.
Что такое command rate 1t или 2t. Ускоряем память или меньше не значит лучше
Другие идентичные названия опции: DRAM 1T/2T Command, SDRAM Command Rate.
DRAM Command Rate — это так называемый командный тайминг, функция задержки между этапами работы контроллера DRAM (микросхемы, которая управляет памятью). составляют отдельную настраиваемую группу опций BIOS. В этой статье мы попробуем разобраться, какое значение данной функции является оптимальным и почему.
Для наилучшего понимания смысла рассматриваемой опции необходимо проследить процесс чтения данных из памяти. Изначальный запрос на чтение информации, посылаемый операционной системой контроллеру памяти, не содержит в себе точных «координат», уникального физического адреса запрашиваемых данных. Система передает лишь условное обозначение, виртуальный адрес, с которым начинает работать контроллер памяти, преобразуя его в физический адрес. В то же самое время контроллер выполняет активацию банка памяти, содержащего необходимую системе информацию. Это происходит через присвоение сигнала этому банку с помощью команды Chip Select. Результатом конвертации или декодирования виртуального адреса является необходимый физический адрес данных; после его получения контроллер приступает к выполнению команд чтения.
То есть, проще говоря, вместо немедленной инициализации операции чтения контроллер задерживается для проведения конвертации адресов. Интервал тайминга прямо пропорционален объему обрабатываемой памяти и количеству ее банков. Соответственно, при увеличении «объема работ» контроллеру для проведения данной операции потребуется больше времени.
Тайминг BIOS DRAM Command Rate предоставляет возможность пользователю самостоятельно определить интервал вышеописанной задержки, выбрав между значениями 1Т или 2Т (такт).
Стоит ли включать опцию?
Казалось бы, выбор очевиден: чем меньше интервал задержки, тем быстрее обработка команд контроллера. Однако это не совсем так. Понятно, что при увеличении времени ожидания контроллер излишне задерживается и отправляет команды позже, чем нужно. В результате этого снижается быстродействие памяти, а также ухудшается производительность ОЗУ. Но при использовании слишком малого значения тайминга управляющая памятью микросхема просто не успевает выполнить декодирование и отправку адресов, вследствие чего информация может быть повреждена или утеряна.
В некоторых моделях и версиях BIOS встречается также третий вариант — Auto (или By SPD). Присвоение функции такого значения приведет к тому, что интервал будет взят из информации, запрограммированной производителем в микросхеме SPD (Serial Presence Detect).
Прежде чем экспериментировать с быстрым интервалом в 1Т, стоит изучить техническую документацию материнской платы на предмет такой возможности. Если нет уверенности в совершаемых действиях, то рекомендуем остановиться на значении Auto.
Те, кто увлекаются оптимизацией работы компьютера по средствам настройки BIOS наверняка слышали о такой опции как Command rate. В некоторых модификациях BIOS она может называться DRAM Command rate. Из возможных значений, которые она может принимать значатся 1 (1T), 2 (2T) и Auto.
Довольно популярным вопросом является установка оптимального значения для Command rate. И чтобы ответить на него нужно разобраться в природе данного параметра.
За что отвечает DRAM Command rate?
Дело в том, что операционная система компьютера работает с оперативной памятью не напрямую. Чтение и запись данных ОЗУ осуществляется через контроллер памяти. Так как операционная система передает контролеру памяти не физический адрес, а виртуальный, последнему требуется время для преобразования виртуального адреса в физический. Так вот опция Command rate определяет интервал задержки в 1 (1T) или 2 (2T) такта для проведения контроллером этой конвертации.
Что лучше 1T или 2T?
Размышляя логически, можно прийти к выводу, что чем меньше задержка (время ожидания), тем больший объем данных можно обработать за одну и ту же единицу времени. То есть значение в 1T (такт) является наиболее оптимальным с точки зрения скорости работы памяти и компьютера в целом. Но вся загвоздка в том, что далеко не каждый модуль ОЗУ и контроллер памяти может работать стабильно с таким малым временем ожидания, как 1 такт. Возможны ошибки и потеря данных. Как следствие — нестабильная работа ПК, синие экраны смерти и так далее.
Для того, чтобы правильно принять решение об установке значения опции Command rate в BIOS, нужно изучить технические характеристики материнской платы и модулей памяти, установленные в каждом конкретном случае, на предмет поддержки работы в режиме задержки 1 такт.
На свой страх и риск можно попробовать установить значение 1T и посмотреть как будет работать компьютер. При появлении ошибок и сбоев DRAM Command rate нужно будет вернуть к значению 2T.
При значении в 2 такта память будет работать медленнее, стабильнее и с минимальным риском возникновения ошибок.
Также возможным значением для данной опции может быть AUTO. В этом случае BIOS сам установит оптимальное значение, сходя из параметров модуля памяти.
Значение AUTO позволяет компьютеру автоматически подобрать время задержки
Введение
Модули памяти DDR и DDR2 классифицируются по максимальной частоте, на которой они могут работать. Но, помимо частоты, есть и другие параметры, определяющие производительность памяти – это тайминги. Тайминги – это числа, такие как 2-3-2-6-T1, 3-4-4-8 или 2-2-2-5, чем меньше числа, тем лучше. Давайте разберемся, что обозначает каждая цифра этих чисел.
Модули памяти DDR и DDR2 маркируются по классификации DDRxxx/PCyyyy.
Первое число – xxx – указывает максимальную тактовую частоту, на которой могут работать чипы памяти. Например, максимальная частота, на которой могут работать модули DDR400 – 400 МГц, а модули DDR2-667 могут работать на частотах до 667 МГц. Нужно уточнить, что это не реальная тактовая частота ячеек памяти – их рабочая частота в случае с DDR равна половине, а DDR2 — четверти частоты, указываемой в маркировке модулей. То есть, модули памяти DDR400 работают на частоте 200 МГц, а модули DDR2-667 на частоте 166 МГц, но с контроллером памяти и DDR, и DDR-II сообщаются на половине частоты, указанной в маркировке (т.е. 200 и 333МГц, соотвественно), поэтому в дальнейшем именно такая частота будет подразумеваться под реальной рабочей.
Второе число – yyyy – указывает максимальную скорость передачи данных в МБ/с.
Максимальная скорость передачи данных у модулей DDR400 равна 3200 МБ/с, следовательно, их маркируют PC3200. Модули DDR2-667 передают данные со скоростью 5336 МБ/с, и их маркируют как PC2-5400. Как видите, после “DDR” или «PC» мы ставим цифру «2», чтобы указать, что речь идет о памяти DDR2, а не DDR.
Первая классификация – DDRxxx – является стандартной для классификации чипов памяти, вторая – PCyyyy – для модулей памяти. На рисунке 1 представлен модуль памяти PC2-4200 компании Corsair, который сделан на чипах DDR2-533.
Модуль памяти DDR2-533/PC2-4200
Максимальную рабочую частоту модуля памяти можно рассчитать по следующей формуле:
максимальная теоретическая скорость передачи данных = тактовая частота x число битов / 8
Так как DIMM модули передают одновременно 64 бита, то “число битов” будет 64. Так как 64 / 8 равно 8, то эту формулу можно упростить:
максимальная теоретическая скорость передачи данных = тактовая частота x 8
Если модуль памяти установлен в компьютере, шина памяти которого работает на более низкой тактовой частоте, то максимальная скорость передачи данных у этого модуля памяти будет ниже его максимальной теоретической скорости передачи данных. На практике непонимание этого факта встречается довольно часто.
Например, Вы купили 2 модуля памяти DDR500/PC4000. Даже при том, что они маркированы как DDR500, в вашей системе они не будут автоматически работать на частоте 500 МГц. Это максимальная тактовая частота, которую они поддерживают, но она не всегда совпадает с той тактовой частотой, на которой они будут работать. Если Вы установите их в обычный персональный компьютер, поддерживающий модули DDR, то эти модули памяти будут работать на частоте 400 МГц (DDR400) – максимальной частоте стандарта DDR. При этом максимальная скорость передачи данных будет равна 3200 МБ/с (или 6400 МБ/с, если модули памяти работают в двухканальном режиме). Таким образом, модули не будут автоматически работать на частоте 500 МГц, и не достигнут скорости передачи данных в 4000 МБ/с.
Зачем же, в таком случае, такие модули покупают? Для разгона. Так как изготовитель гарантирует, что эти модули могут работать на частотах до 500 МГц, Вы знаете, что можно поднять частоту шины памяти до 250 МГц, и таким образом увеличить быстродействие компьютера. Но это можно будет сделать при условии, что материнская плата компьютера поддерживает такой разгон. Поэтому, если Вы не хотите «разгонять» свой компьютер, то бесполезно покупать модули памяти с маркировкой по тактовой частоте выше, чем обычная частота шины памяти материнской платы.
Для среднего пользователя этой информации о модулях памяти DDR/DDR2 достаточно. Продвинутому же пользователю нужно знать ещё об одной характеристике: темповости работы памяти, или, как ещё называют совокупность временных параметров работы памяти – тайминги, задержки или латентность. Рассмотрим эти параметры модулей памяти подробнее.
Тайминги
Именно из-за разницы в таймингах, 2 модуля памяти, имеющие одну и ту же теоретическую максимальную скорость передачи данных, могут иметь разную пропускную способность. Почему так может быть, если оба модуля работают на одной и той же частоте?
Для выполнения каждой операции чипу памяти нужно вполне определенное время – тайминги как раз и определяют это время, выраженное в количестве циклов тактовой частоты шины памяти. Приведем пример. Рассмотрим самый известный параметр, который называют CAS Latency (или CL, или «время доступа»), который указывает, через сколько тактовых циклов модуль памяти выдает запрошенные центральным процессором данные. Модуль памяти с CL 4 запоздает с ответом на 4 тактовых цикла, тогда как модуль памяти с CL 3 запаздывает на 3 тактовых цикла. Хотя оба модуля могут работать на одной и той же тактовой частоте, второй модуль будет работать быстрее, поскольку он будет выдавать данные быстрее, чем первый. Эта проблема известна под названием «время ожидания».
Тайминги памяти обозначаются рядом чисел, например, так: 2-3-2-6-T1, 3-4-4-8 или 2-2-2-5. Каждое из этих чисел указывают, за сколько тактовых циклов память выполняет определенную операцию. Чем меньше эти числа, тем быстрее память.
DDR2 модуль памяти с таймингами 5-5-5-15
Числа таймингов указывают параметры следующих операций: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы было понятнее, представьте себе, что память организована в виде двумерной матрицы, где данные хранятся на пересечении строк и столбцов.
CL : CAS Latency – время, проходящее с момента посыла команды в память до начала ответа на этот запрос. То есть это время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью.
tRCD : задержка от RAS до CAS – время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.
tRP : RAS Precharge – интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.
tRAS – пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса.
CMD : Скорость поступления команды (Command Rate) – время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Иногда этот параметр не указывается. Обычно это T1 (1 тактовый цикл) или T2 (2 тактовых цикла).
Обычно у пользователя есть 2 возможности. При конфигурации компьютера использовать стандартные тайминги памяти. В большинстве случаев для этого при настройке материнской платы в пункте конфигурации памяти нужно выбрать параметр «авто». Можно также вручную сконфигурировать компьютер, выбрав более низкие тайминги, что может увеличить производительность системы. Нужно заметить, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не поддерживать очень низкие тайминги, из-за чего они могут сконфигурировать ваш модуль памяти так, что он будет работать с более высокими таймингами.
Конфигурирование таймингов памяти в настройках материнской платы
При разгоне памяти может случиться так, что для того, чтобы система работала устойчиво, вам, возможно, придется в настройках увеличить тайминги работы памяти. Вот здесь-то и могут быть очень интересные ситуации. Даже при том, что частота памяти будет поднята, из-за увеличения задержек в работе памяти её пропускная способность может уменьшиться.
В этом ещё одно преимущество скоростных модулей памяти, ориентированных на разгон. Помимо гарантии работы модуля памяти на маркированной тактовой частоте, изготовитель также гарантирует, что при этом Вы сможете сохранить паспортные тайминги модуля.
Возвращаясь к примеру с модулем памяти DDR500/PC4000 – даже при том, что с модулями DDR400/PC3200 Вы сможете достичь частоты в 500 МГц (250 МГц x2), для них, возможно, придется увеличить тайминги, в то время как для модулей DDR500/PC4000 изготовитель гарантирует, что Вы сможете достичь 500 МГц, сохранив указанные в маркировке тайминги.
CAS Latency (CL)
Как уже упоминалось выше, CAS Latency (CL) является очень важным параметром памяти. Он указывает, сколько тактовых циклов нужно памяти для выдачи запрашиваемых данных. Память с CL = 3 задержится с ответом на 3 тактовых цикла, а память с CL = 5 сделает то же самое только через 5 тактовых циклов. Таким образом, из двух модулей памяти, работающих на одной и той же тактовой частоте, тот модуль, у которого CL меньше, будет быстрее.
Обратите внимание, что здесь под тактовой частотой имеется в виду реальная тактовая частота, на которой работает модуль памяти – то есть половина указываемой частоты. Так как память DDR и DDR2 за один тактовый цикл может выдавать данные 2 раза, то для них указывается двойная реальная тактовая частота.
На рисунке 4 показан пример работы CL. На нем приведены 2 примера: для модуля памяти с CL = 3 и модуля памяти с CL = 5. Синим цветом обозначена команда «читать».
CAS Latency (CL)
Память с CL = 3 обеспечивает 40% преимущество по времени ожидания по сравнению с памятью с CL = 5, считая, что они обе работают на одной тактовой частоте.
Можно даже вычислить время задержки, после которого память начнет выдавать данные. Период каждого тактового цикла можно легко вычислить по следующей формуле:
Таким образом, период одного тактового цикла памяти DDR2-533, работающей на частоте 533 МГц (частота шины – 266,66 МГц) равен 3,75 нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Имейте в виду, что при расчетах нужно использовать реальную тактовую частоту, которая равна половине номинальной частоты. Таким образом, память DDR2-533 задержит выдачу данных на 18,75 нс, если CL =5, и на 11,25 нс, если CL =3.
Память SDRAM, DDR и DDR2 поддерживает пакетный режим выдачи данных, когда задержка перед выдачей следующей порции данных составляет всего один тактовый цикл, если эти данные располагаются по адресу, следующему за текущим адресом. Поэтому, в то время как первые данные выдаются с задержкой на CL тактовых циклов, следующие данные будут выдаваться сразу же за первыми, не задерживаясь ещё на CL циклов.
Задержка от RAS до CAS (RAS to CAS Delay )
Каждый чип памяти внутренне организован как двумерная матрица. В каждом пересечении строк и столбцов имеется маленький конденсатор, который отвечает за сохранение “0” или “1” – единиц информации, или данных. Процедура доступа к хранящимся в памяти данным состоит в следующем: сначала активируется строка с нужными данными, затем столбец. Эта активация происходит по двум контрольным сигналам – RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe). Чем меньше временной интервал между этими двумя сигналами, тем лучше, поскольку данные будут считываться быстрее. Это время называется задержкой от RAS до CAS (RAS to CAS Delay ). Это иллюстрирует рисунок 5 – в данном случае для памяти с tRCD = 3.
RAS to CAS Delay (tRCD)
Как видите, задержка от RAS до CAS является также числом тактовых циклов, проходящих с момента прихода команды “Active” (активировать) до команды «чтение» или «запись».
Как и в случае с CAS Latency, RAS to CAS Delay имеет дело с реальной тактовой частотой (которая равна половине маркировочной частоты), и чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память, так как в этом случае чтение или запись данных начинается быстрее.
RAS Precharge (tRP)
После получения данных из памяти, нужно послать в память команду Precharge, чтобы закрыть строку памяти, из которой считывались данные, и разрешить активацию другой строки. RAS Precharge time (tRP) – временной интервал между командой Precharge и моментом, когда память сможет принять следующую команду активации – Active. Как мы узнали в предыдущем разделе, команда “active” запускает цикл чтения или записи.
RAS Precharge (tRP)
На рисунке 6 приведен пример для памяти с tRCD = 3.
Как и в случае с другими параметрами, RAS Precharge имеет дело с реальной тактовой частотой (которая равна половине маркировочной частоты), и чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память, так как в этом случае команда “active” поступает быстрее.
Суммируя рассмотренное выше, получаем, что время, которое проходит с момента выдачи команды Precharge (закрыть строку и …) до фактического получения данных процессором равно tRP + tRCD + CL.
Другие параметры
Рассмотрим 2 других параметра – Active to Precharge Delay (tRAS) и Command Rate (CMD). Как и в случае с другими параметрами, эти 2 параметра имеют дело с реальной тактовой частотой (которая равна половине маркировочной частоты), и чем меньше эти параметры, тем быстрее память.
Active to Precharge Delay (tRAS): если в память поступила команда “Active”, то следующая команда “Precharge” не будет восприниматься памятью, пока не пройдет время равное tRAS. Таким образом, этот параметр определяет временной предел, после которого память может начать считывать (или записывать) данные из другой строки.
Command Rate (CMD) – отрезок времени с момента активации чипа памяти (прихода сигнала на вывод CS – Chip Select [выбор чипа]) до того как чип сможет принять какую-нибудь команду. Этот параметр обозначается буквой “T” и может принимать значения 1Т или 2T – 1 тактовый цикл или 2 тактовых цикла, соответственно.
Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, — оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы — почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.
Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.
Итак, оперативная память — это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.
Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:
- Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
- Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
- Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
- При чтении данных — зарядов конденсаторов — их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
- Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция — Refresh — выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.
На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги — временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.
Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.
Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:
CAS Latency (CL) — пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.
RAS Precharge (tRP) — время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.
Row Active Time (tRAS) — временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.
Command Rate 1/2T (CR) — время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T — за два.
Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) — время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.
DRAM Idle Timer — время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.
Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое — величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.
Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.
| Тип памяти | Рейтинг | Реальная частота работы памяти, МГц |
Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц |
| DDR | PC 2100 | 133 | 266 |
| PC 2700 | 167 | 333 | |
| PC 3200 | 200 | 400 | |
| ЗС 3500 | 217 | 434 | |
| PC 4000 | 250 | 500 | |
| PC 4300 | 266 | 533 | |
| DDR2 | PC2 4300 | 266 | 533 |
| PC2 5400 | 333 | 667 | |
| PC2 6400 | 400 | 800 | |
| PC2 8000 | 500 | 1000 | |
| PC2 8500 | 533 | 1066 | |
| PC2 9600 | 600 | 1200 | |
| PC2 10 400 | 650 | 1300 | |
| DDR3 | PC3 8500 | 533 | 1066 |
| PC3 10 600 | 617,5 | 1333 | |
| PC3 11 000 | 687,5 | 1375 | |
| PC3 12 800 | 800 | 1600 | |
| PC3 13 000 | 812,5 | 1625 | |
| PC3 14 400 | 900 | 1800 | |
| PC3 15 000 | 933 | 1866 | |
| Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора). |
|||
Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK — тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND — команды, поступающие на ячейки памяти; READ — операция чтения; NOP — команды отсутствуют; PRE — подзарядка конденсаторов — ячеек памяти; ACT — операция активации строки; ADDRESS — адресация данных к банкам памяти; DQS — шина данных (Data Strobe); DQ — шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL — CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n — считывание данных со строки n. Один такт — временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.
 |
Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).
Основы разгона оперативной памяти
Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR — Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 — Micron D9xxx; DDR3 — Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.
Пожалуй, первый шаг, который делают новички, — повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.
Следующий шаг — подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа — MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.
Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.
- Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без).
- SPD (Serial Presence Detect) — микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ.
- «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти.
- smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов.
- На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги.
- РСВ — печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.
На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей — даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.
Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.
Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК — почему бы и нет?
ЕРР и XMP — разгон ОЗУ для ленивых
Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.
В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP — расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР — сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).
| Параметр | Возможные значения для ЕРР | Поддерживается | ||
| JEDEC SPD | Сокращенный профиль ЕРР | Полный профиль ЕРР | ||
| CAS Latency | 2, 3, 4, 5, 6 | Да | Да | Да |
| Minimum Cycle time at Supported CAS | JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) | Да | Да | Да |
| Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Row Precharge Time (tRP) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Write Recovery Time (tWR) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Voltage Level | 1,8-2,5 В | — | Да | Да |
| Address Command Rate | 1Т, 2Т | — | Да | Да |
| Address Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | — | — | Да |
| Chip Select Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | — | — | Да |
| Clock Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | — | — | Да |
| Data Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | — | — | Да |
| DQS Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | — | — | Да |
| Address/ Command Fine Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | — | — | Да |
| Address/ Command Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | — | — | Да |
| Chip Select Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | — | — | Да |
| Chip Select Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | — | — | Да |
| * Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2 | ||||
| Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC. | ||||
Дальнейшее развитие данной темы — концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.
Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути — будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.
Итоги
В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала — объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.
Тонкая настройка работы модулей — дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) — это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.
 |
Просмотр содержимого SPD-модуля памяти с поддержкой Еnhanced Рerformance Рrofiles с помощью утилиты CPU-Z. Видно, что в ЕРР #1 прописан скоростной режим, позволяющий раскрыть потенциал ОЗУ. |  |
Текущие частота работы и задержки подсистемы памяти. Программа CPU-Z позволяет оперативно определить данные настройки и отслеживать их в режиме реального времени (полезно, если вы меняете задержки, находясь в ОС). |
Дальше — тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру — высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!
Наконец мы подошли к самой главной части сегодняшнего обзора – разгону. Итак, первым делом давайте проверим, какую частоту покорит память при своем номинальном напряжении 1.65v и номинальных таймингах 7-7-7-20:
На 7-7-7-20 память разогналась с номинальных 1333 до 1630 МГц и стабильно отработала свои 30 минут в тесте. Это очень хороший результат, учитывая, что напряжение на память установлено всего 1.65v. На 6-6-6-18 разгон дал стабильные 1403 МГц. И на 8-8-8-24 частота составила 1835 МГц.
реклама
Ну что сказать, просто великолепный результат! Хотя подобного и следовало ожидать, т.к. чипы Micron очень хорошо отзываются на рост напряжения и могут довольно сильно прибавлять в разгоне. Подумайте только – 1516 МГц с таймингами 6-6-6-18 и всего при 1.8v! Не часто такое увидишь. На 7-7-7-20 стабильная частота составила 1750 МГц по сравнению со своей номинальной частотой в 1333 МГц. А вот на 8-8-8-24 результат получился очень странный: по сравнению со своими 1835 МГц, которые были получены при 1.65v – и при 1.8v разгон не принес совершенно никаких плодов. Немного забегая вперед, скажу, что и на 1.9v результат был такой же – те же 1835 МГц. Все это казалось очень странно, и я был уверен, что проблема кроется не в памяти, а в чем-то другом. После небольшого анализа все-таки удалось найти причину, по которой происходила подобная ерунда. Виноват оказался процессор, и все упиралось в частоту UCLK, а точнее в какую-то одну из ее составляющих — L3 кэш или контроллер памяти. Мне не удалось точно выяснить что именно, но подозрения пали на L3 кэш, т.к. увеличение напряжения на память совершенно не увеличивало разгон (это напряжение питает также и контроллер памяти в процессоре). А вот поднятие напряжения Uncore до 1.55v давало все же небольшую прибавку в разгоне UCLK и как следствие самой памяти. Правда эта прибавка была небольшой, всего 10 МГц, а повышать Uncore свыше 1.55v было уже довольно рискованно. К тому же увеличение этого напряжения дополнительно нагревало процессор, и не слабо – примерно + 3-4 градусов по Цельсию.
Medicare Advantage Star Ratings: What to Know About TRC and MRP
A Kaiser Family Foundation report notes that for 2022, the average Medicare beneficiary has access to 39 Medicare Advantage plans. That’s a figure more than double the number of plans per person available in 2017. It’s also the largest number of options available in more than ten years. Nearly 4,000 Medicare Advantage plans are available nationwide in 2022, representing an 8 percent increase from 2021.
As health plans work to distinguish their Medicare Advantage offerings from an increasing number of competitors, the importance of Medicare Advantage star ratings has grown, as have each of the measures that influence a plan’s score (i.e., star rating). In addition to enrollment implications, Medicare Advantage star rating performance has a direct financial impact on health plans.
Let’s take a brief look at why Medicare Advantage star ratings have taken on such significant importance for health plans, focusing on two areas with the potential to greatly influence a plan’s Medicare Advantage star rating performance.
Overview of Medicare Advantage Star Ratings
The Centers for Medicare & Medicaid Services (CMS) implemented Medicare Advantage Star Ratings in 2007. The purpose was essentially two-fold:
- The star-rating system can better inform Medicare beneficiaries about the quality of their Medicare Advantage plan options and help them make a more educated decision about the plan section.
- The star-rating system has quality bonuses tied to Medicare Advantage plan performance. In other words, plans with higher star ratings can earn more money.
As a McKinsey & Co. report states, «Plans awarded four or more stars earn a five percent bonus on CMS payment benchmarks, as well as higher rebates to use toward richer supplemental benefits for members.»
Medicare Advantage plans are rated on a one-to-five-star scale, including half-point ratings (e.g., 1.5, 2.5) as possible scores. One star represents poor performance, while five stars represent excellent performance. Where do these stars come from you may ask? They’re determined based on the experiences of Medicare beneficiaries enrolled in Medicare Advantage and Part D prescription drug plans. These experiences correspond to specific measures upon which health plans are rated.
For 2022 , Medicare Advantage with prescription drug coverage (MA-PD) contracts are rated on up to 38 unique quality and performance measures. MA-only contracts (i.e., those without prescription drug coverage) are rated on up to 28 measures. Standalone prescription drug plan contracts are rated on up to 12 measures. More specifically, as The Commonwealth Fund notes , these measures assess whether Medicare Advantage enrollees receive appropriate preventive care and how well their chronic diseases are controlled. The composite star-rating score is published on the Medicare Plan Finder website. It includes administrative measures (e.g., a plan’s timeliness in responding to coverage decision appeals) and enrollees’ plan ratings.
Understanding Star Ratings for Transitions of Care and Medication Reconciliation Post-Discharge
Two areas of significant importance to a health plan’s Medicare Advantage star rating are transitions of care (TRC) and medication reconciliation post-discharge (MRP) . Prior to 2022, CMS was measuring a health plan’s success concerning medication reconciliation through a single MRP quality measure. That changed for this year. CMS is now requiring that Medicare Advantage plans report on the Healthcare Effectiveness Data and Information Set (HEDIS®) «Transitions of Care» (TRC) measure that will be used to generate the 2024 Medicare Advantage star ratings.
HEDIS® TRC Measure Explained
What does the HEDIS® TRC measure have to do with medication reconciliation post-discharge? As discussed in this blog post , MRP is one of the TRC measure’s four reported rates, with the others being notification of inpatient admission, receipt of discharge information, and patient engagement after inpatient discharge.
Through its decision to move away from MRP as a standalone measure and toward the HEDIS® TRC measure, CMS seems to be placing great emphasis on the importance of transitions of care and, within them, the crucial role of medication reconciliation post-discharge. Consider that MRP on its own encompasses two of TRC’s reported rates:
- MRP
- Patient engagement after inpatient discharge.
By moving to the TRC HEDIS® measure, CMS added two additional focus areas.
We frequently highlight statistics demonstrating how important it is for many patients to receive MRP. It is estimated that 40 to 50 percent of discharges do not include an MRP, more than one in four patients have an adverse drug reaction post-discharge, and about one in five patients are readmitted due to adverse drug reactions.
CMS notes that transitions of care increase the risk of adverse events due to the potential for miscommunication. As responsibility is passed along between parties, hospital discharge is a complex process representing a period of significant vulnerability for patients, with one such vulnerability concerning medication risks.
Research showed that «More than 40% of medication errors are believed to result from inadequate reconciliation in handoffs during admission, transfer, and discharge of patients.»
Improving Medicare Advantage Star Ratings Performance: What Health Plans Should Do
Health plans that hope to improve or at least maintain their Medicare Advantage star ratings and reap any associated financial rewards must prioritize efforts around transitions of care and medication reconciliation post-discharge. Improvements in these areas that contribute to stronger Medicare Advantage star ratings can help health plans expand their number of Medicare Advantage enrollees and increase their quality bonus payments. KFF notes that in 2021, more than 26 million Medicare beneficiaries were enrolled in a Medicare Advantage plan, a figure expected to grow in the years ahead.
Unfortunately, improving TRC and MRP is often easier said than done for health plans and provider organizations because there are so many patients who would benefit but not enough staff and time to consistently, properly, and effectively perform MRP. This ultimately leads to missed MRPs and errors, contributing to higher readmissions and lower star ratings.
Enter Cureatr’s MRP service . Through the Cureatr Clinic, our team of clinical pharmacists, supported by advanced technology and unmatched patient data access, provides health plans and provider organizations with the medication experts needed to provide MRP and additional medication management and care coordination services. The results: Patients get the medication-related services they need to keep them on their treatment path and away from a return visit to the emergency room. To learn more, request a consultation !
Классификация TrC и измерение.
3.1. Классификация Милгрома-Робертса: с позиции потенциального источника ПС: 1)издержки координации – затраты на обеспечение временного и пространственного соответствия участников трансакции. 2)издержки мотивации – издержки обеспечения контроля, мониторинга, сбора информации о соблюдении партнером обязательств и др.. М возникать и на рынке и внутри фирмы. Классификация удобна для анализа и оптимизации ПС во внутрифирменных иерархиях. 3.2.С позиции min рыночных трансакций удобнее классификация по Шаститко А.Е. на рынках товаров, труда, ресурсов и т.д. 1)TrC Выявления альтернатив. Для принятия решения о сделке надо сопоставить альтернативы (в условиях неоднородности и платности информации). TrC поиска выгодной цены и др. условий контракта (минимизация – специализированные рынки); TrC проверки надежности потенциальных контрагентов (минимизация – реклама и репутация). 2)TrC измерения. Любое благо имеет много полезных свойств; при обмене передаются определенные права. – возникают затраты времени и денег на измерение качеств. Существует асимметрия в распределении такой информации. Существуют разные категории благ. – исследуемые – их качество легко определить до покупки или приобретения (10 кг апельсинов – можно 1 попробовать); Средства минимизации – институт стандартов; послепродажное обслуживание – снижает риски; использование суррогатов (косвенная оценка по физ.св-м, цене, отзывам).; — использование посредников. 3)TrC ведения переговоров. – издержки коммуникации (переводчик); стратегические издержки – демонстрируют партнеру ценность отношений; издержки на юридические и вселегальное оформление сделки 9при крупных сделках до 10-15 % от суммы контракта); — з/п сотрудников, готовящих контракты, и их техническое обеспечение. Средства минимизации – общие ментальные модели, типовые формы контрактов, привлечение третьей стороны в качестве гаранта. 4)TrC спецификации и защиты прав собственности. – любое благо имеет много измерений, поэтому издержки определения объекта, субъекта ПС и способа их передачи (П: межевание при покупки дачи). TrC: — услуг «землемера» при межевании, — оформление и проверка договоров на право собственности, — урегулирование межевых споров и т.д. Средства минимизации – институты правопорядка; информирование о правилах обмена; общие ментальные модели. 5)TrC оппортунистического поведения. – несовпадение контрагентов А и Б (своя выгода в ущерб контрагента при сделке), — асимметричность распределения информации (скрытые действия А (вне наблюдения Б), скрытая информация о внешних условиях (известна А, но не Б). Если ожидаемые издержки уклонения от условий договора меньше выгод, которые оно несет, то эк.агент А выберет оппортунистическое поведение. Средства минимизации – мониторинг; — репутационный механизм – заинтересованность эк.субъектов в поддержании хороших отношений; — контрактный механизм – детальная формализация обязательств, привлечение третьей стороны при непредвиденных конфликтах. Количественная оценка TrC. 1)ординалистский подход – объяснение изменения структуры TrC в экономике, отрасли, замещение внутрифирменных Tr рыночными и наоборот – изменениями в относительных TrC. 2)кардиналистский – получение коллективных данных, как суммы денег, определение доли TrC в ВВП, в цене конкретной сделки. Измерение TrC для отдельных покупателей и продавцов. 1) часть трансакций сложно оценить в деньгах покупка дома – сущ-т временные издержки; 2) проблема при оценке теневого сектора; 3) проблема двойного счета – выделяют промежуточные и конечные TrC. Измерение TrC внутри фирмы. Одна из предполагаемых схем – последовательный анализ сети контрактов в рамках иерархии. Владелец фирмы (выше TrC получения информации и обработки ее) – менеджеры – контролеры – рабочие (выше TrC контроля выполнения контрактов по найму). Для подсчета TrC надо: 1) выделить профессии, связанные с Tr функциями. 2) суммировать з/п занятых внутри фирменном производстве Tr секторе. Трансакционные отрасли. 1)финансы и операции с недвижимостью; 2)банковское дело и страхование; 3)правовые услуги; 4)оптовая и розничная торговля. Причины бурного развития Tr сектора экономики (особенно частного). 1) развитие инфраструктуры увеличивает альтернативность, поэтому увеличиваются информ.издержки; 2) увеличивается деперсонофицированность обмена – увеличиваются издержки поддержания контрактов и защиты ПС; 3) увеличение капиталоемкости производства требует увеличение ритмичности поставок ресурсов, внутрифирменной координации и контроля, системы управления запасами и реализации потоков продукции – увеличение средних TrC.; 4) снижение издержек использования политической системой для перераспределения ПС. Т.к. TrC > 0, поэтому институты имеют значение.
Основы контрактных отношений, составляющие контракта и проблема его совершенства Контракт (договор) – правовое оформление экономических трансакций (на практике – ФП и НП). Контракт – соглашение о передаче или защите набора ПС. Базовые принципы КО:
1. свобода К – все стороны вступают в сделку добровольно, экономическое принуждение отсутствует.
2. Координация интересов – все стороны преследуют собственные интересы, осознанно координируя с интересами других.
В экономическом анализе «недобровольность» ≡ физическое принуждение: грабеж, принудительное рабство.
Т.о эк агенты имеют право:
1) решать, заключать К или готовить
2) выбирать партнеров по контрактам
3) определять содержание контракта
4)определять форму К.
Существуют стандартные формы КО, предусмотренные ГК РФ => снижение трансакционных издержек переговоров и заключения К.
Свобода К ограничена законом.
Основные составляющие К:
1)предмет К – вид совместного действия и способы согласования.
3)правила будущих действий и улаживание конфликтов
4)ожидаемое поведение участников – зона, очерчиваемая К (снижает неопределенность, позволяет прогнозировать действия всех участников).
Совершенный К – фиксирует все возможные варианты развития событий.
Чтобы для каждого в существующий момент было оптимально не нарушать => К будет реализован без конфликтов – идеальная модель.
Но реальные контракты неполны. Причины:
1) ограниченная рациональность
— издержки переработки информации
— издержки составления «исчерпывающиего» контракта.
2) несовершенство информации:
— ассиметрия информации и оппортунистическое поведение.
Параметры контракта 1. 1.Размер : объективный и субъективный.
Объективный – по отношению к предоставлениям судебной инстанции.
Субъективный – устанавливается самим участником («эффект богатства»), чем больше капитал участника, тем меньше в нем доля данного участника.
2.Продолжительность: от моментального (точечного) до К с неопределенным сроком.
3.Реальное равенство (или неравенство) участников.
— симметричный К: 1 покупатель – 1 продавец
— ассиметричный К: Ех: покупка продукта массового производства.
4. Степень формализации: писанный или неписанный. Чем мельче К, тем меньше вероятность его фиксирования.